ПЕРЕВАГИ ВИКОРИСТАННЯ CИЛОВИХ МОДУЛІВ MOSFET НА ОСНОВІ КАРБІДУ КРЕМНІЮ (SIC) У ПОРІВНЯННІ
З МОДУЛЯМИ IGBT
ПЕРЕВАГИ ВИКОРИСТАННЯ CИЛОВИХ МОДУЛІВ MOSFET НА ОСНОВІ КАРБІДУ КРЕМНІЮ (SIC) У ПОРІВНЯННІ З МОДУЛЯМИ IGBT
Волошиненко Д.С., магістрант, Пересада С.М., д.т.н., проф.
Вступ. Починаючи з 1990-х біполярний транзистор із ізольованим кремнієвим (Si) затвором (IGBT) став основним силовим ключом напівпровідникових перетворювачів. IGBT мають багато характеристик, що є важливими при застосуванні в силових перетворювачах, в тому числі електричних транспортних засобів. Варто відмітити, що IGBT є однонаправленим пристроєм, тому для кожного перемикача IGBT є необхідною наявність зустрічно-паралельного діоду.
Технології в області силової електроніки постійно удосконалюються, що пов’язано з тим, що в якийсь момент виробники виявляються не в змозі задовольнити запити споживачів на можливості і якість силового електронного устаткування. Особливо це стосується силової електроніки для електричних транспортних засобів. За останнє десятиліття було розроблено технологію силових напівпровідників на основі карбіду кремнія.
Мета роботи. Метою роботи є дослідження і порівняння силових напівпровідникових пристроїв в системах перетворення енергії з різними напругами.
